Picosun等离子体增强原子层沉积系统
更新时间：2024-04-12
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Picosun等离子体增强原子层沉积（PEALD）系统 PICOPLASMA Picosun公司新型PICOPLASMA?等离子体增强原子层沉积（PEALD）系统是基于**的自由离子远程等离子源设计的，其性能已经得到内的诸多*级研究团队的肯定。多种激发源（如氧、氢和氮等）配置能够较大化拓展ALD的工艺范围，尤其是低温沉积金属和金属氮化物薄膜。由于远程等离子源所产生的等离子体束流中离子的含量低，因此即使是较敏感的衬底，也不会出现等离子损伤，而等离子束流中含有高浓度的活性粒子，*很*的生长速度。 PICOPLASMA?源系统既可以安装在现有的PICOSUNTM ALD反应器上，也可以将整个PEALD组装为一个整体。它具有占地面积小、易维护和低运行成本等优点。通过预真空系统，PICOPLASMA?集成在PICOPLATFORM?集群系统中后可实现自动化操作。 PICOPLASMA? 远程等离子体系统技术参数 ·?对衬底无等离子损伤 ·?导电材料不会产生短路现象 ·?无前驱源背扩散→ 等离子发生器无薄膜形成 ·?等离子体点火期间无压力振荡→ 无颗粒形成 ·?等离子体源与衬底之间无闸门阀→ 无颗粒形成 ·?等离子体源材料无刻蚀→ 金属和氧化物薄膜低杂质 ·?简单和**服务并通过维护舱口改变腔室 ·?无硬件修改使热ALD和等离子ALD工艺在同一沉积腔室中进行成为可能 应用领域 部分PEALD材料的薄膜均匀性的例子，采用PICOSUN?设备沉积。晶圆尺寸150/200 mm(6/8”) 材料 非均匀性(1σ) AI2O3 0.50% AlN 0.62% In2O3 0.87% SiO2 (low-T) 1.10% SiN (low-T) 1.58% TiN 2.16% ZnO 2.64% TiAlN 2.87%
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