EVG键对准系统

EVG键对准系统

EVG?610 BA Bond Alignment System EVG?610BA 键对准系统 适用于学术界和工业研究的晶圆对晶圆对准的手动键对准系统 EVG610键合对准系统设计用于较大200 mm晶片尺寸的晶片间对准。 EV Group的粘结对准系统可通过底侧显微镜提供手动**对准平台。 EVG的键对准系统的精度可满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中较苛刻的对准过程。 特征 较适合EVG?501和EVG?510粘合系统 晶圆和基板尺寸较大为150/200 mm 手动**对准台 手动底面显微镜 基于Windows?的用户界面;**的多用户概念（无限数量的用户帐户，各种访问权限，不同的用户界面语言；桌面系统设计，占用空间较小；支持红外对准过程；研发和中试生产线的较佳总拥有成本（TCO）； EVG610 BA技术数据 常规系统配置： 桌面 系统机架：可选 隔振：被动 对准方法 背面对齐：±2 μm 3σ ； 透明对准：±1 μm 3σ 红外校准：选件 对准阶段 精密千分尺：手动； 可选：电动千分尺 楔形补偿：自动 基板/晶圆参数 尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米，200毫米 厚度：0.1-10毫米； 较高 堆叠高度：10毫米 自动对齐：可选的； 处理系统 标准：2个卡带站 可选：较多5个站 EVG?620 BAAutomated Bond Alignment System EVG?620BA 自动键对准系统 用于晶圆间对准的自动键合对准系统，用于研究和试生产 EVG620键合对准系统以其高度的自动化和可靠性而**，专为较大150 mm晶片尺寸的晶片间对准而设计。 EV Group的键合对准系统具有较高的精度，灵活性和易用性，以及模块化升级功能，并且已经在众多高通量生产环境中进行了认证。 EVG的键对准系统的精度可满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中较苛刻的对准过程。 特征 较适合EVG?501，EVG?510和EVG?520IS粘合系统 支持较大150 mm晶片尺寸的双晶片或三晶片堆叠的键对准 手动或电动对准台 全电动高分辨率底面显微镜 基于Windows?的用户界面 在不同晶圆尺寸和不同键合应用之间**更换工具 选件 自动对齐 红外对准，用于内部基板键对准 NanoAlign?封装可增强处理能力 可与系统机架一起使用 面罩对准器的升级可能性 技术数据 常规系统配置 桌面 系统机架：可选 隔振：被动 对准方法：背面对齐：±2 μm 3σ； 透明对准：±1 μm 3σ 红外校准：选件 对准阶段： 精密千分尺：手动； 可选：电动千分尺 楔形补偿：自动 基板/晶圆参数 尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米 厚度：0.1-10毫米 较高 堆叠高度：10毫米 自动对齐：可选的； 处理系统：标准：3个卡带站； 可选：较多5个站 EVG?6200∞ BA Automated Bond Alignment System EVG?6200∞BA自动键对准系统 用于晶圆间对准的自动化键合对准系统，用于中试和批量生产 EVG粘合对准系统提供了较高的精度，灵活性和易用性，模块化升级功能，并且已经在众多高通量生产环境中进行了认证。 EVG键对准器的精度可满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中较苛刻的对准过程。 特征 适用于所有EVG 200 mm粘合系统 支持较大200 mm晶片尺寸的双晶片或三晶片堆叠的键合对准 手动或电动对中平台，带有自动对中选项 全电动高分辨率底面显微镜 基于Windows?的用户界面 选件 自动对齐 红外对准，用于内部基板键对准 NanoAlign?封装可增强处理能力 可与系统机架一起使用 面罩对准器的升级可能性 技术数据 常规系统配置 桌面 系统机架：可选 隔振：被动 对准方法：背面对齐：±2 μm 3σ； 透明对准：±1 μm 3σ 红外校准：选件 对准阶段：精密千分尺：手动； 可选：电动千分尺 楔形补偿：自动 基板/晶圆参数 尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米，200毫米 厚度：0.1-10毫米 较高 堆叠高度：10毫米 自动对齐：可选的； 处理系统 标准：3个卡带站